HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6816
发行日期: 1993年8月26日
修订日期: 2002年10月25日
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HMBT5089
NPN外延平面晶体管
描述
该HMBT5089是专为低噪声,高增益,通用
放大器应用。
绝对最大额定值
SOT-23
•
最高温度
存储温度................................................ ........................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 225毫瓦
•
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 30 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 25 V
VEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 4.5 V
IC集电极电流......................................................................................................... 50毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
COB
分钟。
30
25
4.5
-
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-
-
400
450
400
50
-
典型值。
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马克斯。
-
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50
100
500
800
1200
-
-
-
4.0
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
测试条件
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=15V
VEB=4.5V
IC = 10毫安, IB = 1毫安
IC = 10毫安, IB = 1毫安
VCE = 5V , IC = 0.1毫安
VCE = 5V , IC = 1毫安
VCE = 5V , IC = 10毫安
VCE = 5V , IC = 0.5毫安, F = 20MHz的
VCB = 5V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
pF
HMBT5089
HSMC产品规格