HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6805
发行日期： 1992年8月25日
修订日期： 2002年10月25日
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HMBT1815
NPN外延平面晶体管
描述
该HMBT1815被设计用于AF放大器的驱动器级和
通用的扩增。
绝对最大额定值
SOT-23
•
最高温度
存储温度................................................ ........................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ...................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ....................................... 225毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 60 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 50 V
VEBO发射器基Voltage.............................................................................................. 5 V
IC收藏家Current........................................................................................................ 150毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
* VBE （SAT）
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
60
50
5
-
-
-
-
120
25
80
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
100
250
1
700
-
-
3.5
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
测试条件
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=60V
VEB=5V
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC = 100mA时IB = 10毫安
VCE = 6V ， IC = 2毫安
VCE = 6V ， IC = 150毫安
VCE = 10V ， IC = 1mA时， F = 100MHz的
VCB = 10V ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
兆赫
pF
中hFE1分类
秩
范围
C4Y
120-240
C4G
200-400
C4B
350-700
HMBT1815
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
