HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6857
发行日期： 1994年1月25日
修订日期： 2002年10月25日
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HMBD2003\C\S
描述
该HMBD2003 \\ C \\ S是通用二极管编造平面
技术，封装在小型塑料SMD SOT- 23封装。
特点
•
小型塑料SMD封装
•
开关速度：最大。 50纳秒
•
一般应用：
连续反向电压：最大。 200 V
重复峰值反向电压：最大。 250 V
重复峰值正向电流：最大。 625毫安
SOT-23
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
特征
HMBD2003重复峰值反向电压
HMBD2003C重复峰值反向电压
HMBD2003S重复峰值反向电压
HMBD2003连续反向电压
HMBD2003C连续反向电压
HMBD2003S连续反向电压
正向连续电流在Ta = 25℃
重复峰值正向电流在TA = 25℃
正向电流浪涌在t = 1毫秒，TA = 25℃
功耗
结温
存储温度范围
符号
VRRM
价值
250
250
250
200
200
200
225
625
1
250最大
150
-65~+150
单位
V
VR
lF
IFRM
IFSM
PD
Tj
TSTG
V
mA
mA
A
mV
°C
°C
特征
(Ta=25°C)
特征
正向电压
HMBD2003反向电流
HMBD2003C反向电流
HMBD2003S反向电流
总电容
反向恢复时间
BV
R
符号
VF(1)
VF(2)
IR
CT
TRR
BV
R
条件
IF=100mA
IF=200mA
VR=200V
VR=200V
VR=200V
VR = 0V ， F = 1MHz的
IF = 30毫安到IR = 30毫安
RL = 100Ω测量
IR=3mA
IR=100uA
民
-
-
-
-
-
5
50
250
最大
1
1.25
100
100
100
-
-
-
单位
V
nA
pF
nS
V
HMBD2003 ， HMBD2003C ， HMBD2003S
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
