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HM1300 参数 Datasheet PDF下载

HM1300图片预览
型号: HM1300
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内容描述: PNP硅外延型 [SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 37 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HM200202
发行日期: 2002年2月1日
修订日期: 2002年8月15日
页页次: 1/3
HM1300
PNP硅外延型
描述
频闪的应用
中功率放大器的应用
特点
高直流电流Ogin和Excellanr线性的hFE
HFE(1- )= 140-1000 , ( VCE = - 1V , IC = -0.5A )
的hFE ( 2 )= 60 (分钟) , ( VCE = - 1V , IC = -2A )
低饱和电压
VCE (SAT) = - 0.5V (最大) , ( IC = -2A , IE = -50mA )
SOT-89
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
DC
脉冲
(Note1)
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
-20
-20
-10
-6
-2
-5
-0.2
1
150
-53~150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
注1 :脉冲宽度= 10ms时,占空比= 30 % (最大) (最大)
电气特性
(Ta=25°C)
符号
ICBO
IEBO
V( BR ) CEO
V( BR ) EBO
hFE(1)
(Note2)
*直流电流增益
hFE(2)
*集电极 - 发射极饱和电压VCE (SAT)
基地 - 发射极电压
VBE
截止频率
FT
集电极输出电容
COB
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
测试条件
VCE = -20V , IE = 0
VBE = -6V , IC = 0
IC = 10毫安, IB = 0
IE = -1mA , IC = 0
VCE = - 1V , IC = -0.5A
VCE = - 1V , IC = -2A
IC = -2A , IB = -50mA
VCE = - 1V , IC = -2A
VCE = - 1V , IC = -0.5A
VCE = -10V , IE = 0 ,
F=1KHz
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
-
-
-100 nA的
-
-
-100 nA的
-10
-
-
V
-6
-
-
V
140
-
1000
60
-
-
-
-0.3 -0.5
V
- -0.83 -1.5
V
-
140
-
兆赫
-
50
-
pF
注2 : hFE参数( 1 )分类Y: 140 〜 280 , GR : 200 〜 400 , BL : 300 〜 600 , PE : 500 〜 1000
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HM1300
HSMC产品规格