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型号: HLB125HE
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 5 页 / 53 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE200214
发行日期: 2002年9月1日
修订日期: 2004年11月8日
页页次: 1/5
HLB125HE
NPN外延平面晶体管
描述
该HLB125HE设计用于照明应用和低开关模式功率
耗材。它是高电压能力和高开关速度。
TO-220
特点
高速开关
低饱和电压
高可靠性
绝对最大额定值
(T
A
=25°C)
最高温度
储存温度........................................................................................................................... -50 〜+ 150
°C
结温..................................................................................................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(T
C
= 25℃) .................................................................................................................... 75瓦
最大电压和电流(T
A
=25°C)
V
CEX
集电极到发射极电压...................................................................................................................... 700 V
V
首席执行官
集电极到发射极电压...................................................................................................................... 400 V
V
EBO
发射器基极电压................................................................................................................................ 9 V
I
C
集电极电流(连续) .......................................................................................................................... 4将
I
B
基本电流(连续) ................................................................................................................................ 2将
电气特性
(T
A
=25°C)
符号
BV
CEX
BV
首席执行官
I
EBO
I
CEX
*V
CE(sat)1
*V
CE(sat)2
*V
CE(sat)3
*V
BE ( SAT )
*V
BE ( SAT )
*h
FE
分钟。
700
400
-
-
-
-
-
-
-
15
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
1
1
500
0.6
1
1.2
1.6
25
单位
V
V
mA
mA
mV
V
V
V
V
I
C
=10mA
V
EB
=9V
V
CE
=700V, V
BE (OFF)的
=1.5V
I
C
= 1A ,我
B
=200mA
I
C
= 2A ,我
B
=500mA
I
C
= 4A ,我
B
=1A
I
C
= 1A ,我
B
=200mA
I
C
= 2A ,我
B
=500mA
I
C
= 2A ,V
CE
=5V
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
测试条件
I
C
= 1mA时, V
BE (OFF)的
=1.5V
HLB125HE
HSMC产品规格