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HJ882图片预览
型号: HJ882
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 42 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6014
发行日期: 1996年4月12日
修订日期: 2003年1月7日
页页次: 1/4
HJ882
NPN外延平面晶体管
描述
的HJ882被设计用于使用在20瓦的音频放大器的输出级,
电压调节器,DC-DC转换器和继电器驱动器。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TO-252
最高温度
储存温度........................................................................................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................................................................................ 150
°C
最大功率耗散
总功率耗散(Tc=25°C)................................................................................................. 10瓦
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. .................................................. ... 40 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. .................................................. 30 V
BVEBO发射器基极电压....................................................................................................... 5 V
IC集电极电流(DC)................................................................................................................... [3] A
IC集电极电流(Pulse)............................................................................................................... 7将
IB基本电流(DC).................................................................................................................. 600毫安
热特性
特征
热阻,结到外壳
符号
RθJC
最大
12.5
单位
o
C / W
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
40
30
5
-
-
-
-
30
160
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.3
1
-
-
90
45
马克斯。
-
-
-
1
1
0.5
2
-
400
-
-
单位
V
V
V
uA
uA
V
V
测试条件
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 1mA时, IB = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCB = 30V , IE = 0
VEB = 3V , IC = 0
IC = 2A , IB = 0.2A
IC = 2A , IB = 0.2A
VCE = 2V , IC = 20mA下
VCE = 2V , IC = 1A
VCE = 5V , IC = 0.1A , F = 100MHz的
VCB = 10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
pF
中hFE1分类
范围
Q
100-200
P
160-320
E
250-500
HJ882
HSMC产品规格