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HJ210 参数 Datasheet PDF下载

HJ210图片预览
型号: HJ210
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 26 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
 浏览型号HJ210的Datasheet PDF文件第2页  
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6011 -B
发行日期: 1996年3月12日
修订日期: 2000年11月1日
页页次: 1/2
HJ210
PNP外延平面晶体管
描述
该HJ210是专为低电压,低功耗,高增益音频
放大器应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................................. .. 150
°C
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ......................................... 12.5 W¯¯
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................ -40 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ..................................... -25 V
BVEBO发射器基极电压............................................. ............................................. -8 V
IC集电极电流............................................................................................................. -5 A
IB基本电流................................................................................................................... -1
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VCE(sat)3
* VBE (SAT)
* VBE (上)
*hFE1
*hFE2
*hFE3
COB
fT
分钟。
-40
-25
-8
-
-
-
-
-
-
-
70
45
10
-
65
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-100
-100
-0.3
-0.75
-1.8
-2.5
-1.6
-
180
-
120
-
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
V
测试条件
IC = -100uA , IE = 0
IC = -10mA , IB = 0
IE = -100uA , IC = 0
VCB = -40V , IE = 0
VEB = -8V , IC = 0
IC = -500mA , IB = -50mA
IC = -2A , IB = -200mA
IC = -5A , IB = -1A
IC = -5A , IB = -1A
VCE = - 1V , IC = -2A
VCE = - 1V , IC = -500mA
VCE = - 1V , IC = -2A
VCE = -2V , IC = -5A
VCB=-10V
VCE = -10V , IC = -100mA , F = 10MHz时
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
pF
兆赫
HSMC产品规格