HIRF740 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HIRF740
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内容描述：	N沟道功率MOSFET （ 400V ， 10A ） [N-Channel Power MOSFET (400V, 10A)]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 51 K
品牌：	HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]

HI- SINCERITY

微电子股份有限公司。

规格。编号： MOS200512

发行日期： 2005.09.01

修订日期： 2005年9月22日

页页次： 1/4

HIRF740 / HIRF740F

N沟道功率MOSFET （ 400V ， 10A ）

HIRF740系列引脚分配

TAB

3引脚塑封

TO-220AB

封装代码：电子

引脚1 ：门

2脚&标签：排水

引脚3 ：源

描述

这N沟道MOSFET提供了设计者的最佳组合

快速开关，加固装置的设计，低导通电阻和成本的

有效性。

特点

•

动态的dv / dt额定值

•

额定重复性雪崩

•

快速开关

•

易于并联的

•

简单的驱动要求

3引脚塑封

TO-220FP

封装代码：F

引脚1 ：门

引脚2 ：排水

引脚3 ：源

热特性

符号

Rθ

参数

热阻

结到外壳最大。

热阻

结到环境最大。

价值

TO-220AB

TO-220FP

1.71

3.3

单位

° C / W

HIRF740系列符号

绝对最大额定值

符号

DSS

漏源电压

漏电流（连续）（V

@ 10V ，T

=25

漏电流（连续）（V

@ 10V ，T

=100

漏电流（脉冲）

栅极 - 源极电压（继续）

总功耗

TO-220AB

TO-220FP

减免上述25℃

TO-220AB

TO-220FP

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复

工作结存储温度范围

最大的铅焊接温度的目的， 1.6毫米

从案例10秒

参数

价值

400

6.3

±20

0.59

0.3

520

-55到150

300

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

英镑

* 1 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温

*2: V

= 50V ，起始物为

= 25℃时，L = 9.1mH ，R

=25Ω, I

=10A

*3: I

≤10A,

DI / dt≤120A / US ，V

≤V

（ BR ） DSS

, T

≤150°C

HIRF740 ， HIRF740F

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