HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6732 -A
发行日期： 1998年7月1日
修订日期： 1999年8月1日
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HIRF630
N - 沟道MOSFET
描述
动态的dv / dt额定值
•
额定重复性雪崩
•
快速开关
•
易于并联的
•
简单的驱动要求
这N - 沟道MOSFET提供设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ..................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（TC = 25℃） ........................................ ............................................ 74 W¯¯
•
最大电压和电流（TC = 25 ° C）
漏极至源极击穿电压............................................. ................................... 200 V
门源Voltage...................................................................................................
±
20 V
连续源电流............................................... .................................................. 9一
漏电流脉冲.......................................................................................................... 36一
特征
(Ta=25°C)
参数
编号TC = 25℃连续漏电流， VGS为10V
EAS
单脉冲雪崩能量（ 1 ）
IAR
雪崩电流（ 2 ）
EAR
重复性雪崩能量（ 2 ）
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt （ 3 ）
符号
马克斯。
9
250
9
7.4
5
单位
A
mJ
A
mJ
V / ns的
注： V
DD
= 50V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 4.6mH ，R
Q
=25Ω, I
AS
=9A
重复评价;宽度有限的最大值。结温。我
SD
≤9A,
DI / dt≤120A / US ，V
DD
≤V
（ BR ） DSS
, T
J
≤150°C
热阻
符号
RθJC
RθCS
RΘJA
参数
结到外壳
案例下沉，扁平，脂面
结到环境
分钟。
-
-
-
典型值。
-
0.5
-
马克斯。
1.7
-
62
单位
° C / W
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
