HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE9018 -B
发行日期： 1996年4月15日
修订日期： 2000年11月1日
页页次： 1/3
HI1609
NPN外延平面晶体管
描述
•
低频高电压放大器
•
互补配对HI1109
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................................. .. 150
°C
•
最大功率耗散
总功率耗散（TC = 25℃） ........................................ ............................................ 20瓦
•
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ....................................... 160 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. .................................... 160 V
BVEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 5 V
IC集电极电流（ DC ） ............................................ .................................................. 。 100毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
* VCE （SAT）
VBE （ON）的
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
160
160
5
-
-
-
60
30
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
140
3.8
马克斯。
-
-
-
10
2
1.5
320
-
-
-
单位
V
V
V
uA
V
V
测试条件
IC = 10uA的， IE = 0
IC = 1mA时， IB = 0
IE =为10uA ， IC = 0
VCB = 140V ， IE = 0
IC = 30mA时IB = 3毫安
IC = 10毫安， VCE = 5V
VCE = 5V ， IC = 10毫安
VCE = 5V ， IC = 1毫安
VCE = 5V ， IC = 10毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
兆赫
pF
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
中hFE1分类
秩
范围
B
60-120
C
120-200
D
160-320
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
