HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号：初步数据
发行日期： 1998年7月1日
修订日期： 2000年11月1日
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HI122
NPN外延平面晶体管
描述
该HI122设计的通用和低速切换
应用程序。
特点
•
高直流电流增益
•
比尔 - 在E-C阻尼二极管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
•
最高温度
存储温度................................................ .............................................. -55〜 + 150℃
结温......................................................................................................+150°C
•
最大功率耗散
总功率耗散（TC = 25℃） ........................................ .............................................. 20W
•
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................ 100伏
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ..................................... 100伏
BVEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 5 V
IC集电极电流............................................................................................................. 8的
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
* VBE （SAT）
* VBE （上）
*hFE1
*hFE2
COB
分钟。
100
100
5
-
-
-
-
-
-
-
1K
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
130
马克斯。
-
-
-
10
10
2
2
4
4.5
2.8
12K
-
-
单位
V
V
V
uA
uA
mA
V
V
V
V
测试条件
IC=1mA
IC=30mA
IE=1mA
VCB=100V
VCE=50V
VEB=5V
IC = 4A ， IB = 16毫安
IC = 8A ， IB = 80毫安
IC = 8A ， IB = 80毫安
VCE = 4V ， IC = 4A
VCE = 4V ， IC = 4A
VCE = 4V ， IC = 8A
VCB = 10V ， F = 1MHz的
pF
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
