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HI10387 参数 Datasheet PDF下载

HI10387图片预览
型号: HI10387
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 33 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE9028
发行日期: 1994年1月25日
修订日期: 2001年12月19日
页页次: 1/3
HI10387
NPN外延平面晶体管
描述
该HI10387是专为通用放大器和低
高速开关应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TO-251
最高温度
存储温度................................................ .............................................. -55〜 + 150
°C
结温................................................ ....................................... 150 ° C最大
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................. 65瓦
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ............................................... 2 W
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 80 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 80 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 5 V
IC集电极电流............................................................................................................ 10 A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCEO
ICBO
IEBO
ICEO
ICEV
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VCE(sat)3
VBE ( SAT )
VBE(on)1
VBE(on)2
VFEC
hFE1
hFE2
分钟。
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2
100
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
100
2
1
300
2
3
1.5
2
2.8
4.5
3
20
-
单位
V
uA
mA
mA
uA
V
V
V
V
V
V
V
K
测试条件
IC=200mA
VCB=160V
VEB=5V
VCE=80V
VCE = 80V , VBE (关闭) = 1.5V
IC = 5A , IB = 10毫安
IC = 10A , IB =百毫安
IC = 5A , IB = 2.5毫安
IC = 5A , IB = 5毫安
VCE = 3V , IC = 5A
VCE = 3V , IC = 10A
IC=5A
IC = 5A , VCE = 3V
VCE = 3V , IC = 10A
中分类VCE (SAT) 1
VCE(sat)1
KA
<1.5 , BVCEO>130V
KB
<1.1V
KC
<1.3V
正常
<2V
HI10387
HSMC产品规格