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HBD437T 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HBD437T
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内容描述: 互补硅功率晶体管 [COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 40 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HT200201
发行日期: 2001年4月1日
修订日期: 2002年2月8日
页页次: 1/3
HBD437T
互补硅功率晶体管
描述
该HBD437T是TO- 126 silison外延基NPN功率晶体管
塑料封装, intented在中等功率线性和开关应用
应用程序。互补PNP类型是HBD438T 。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TSTG
Tj
Parametor
集电极 - 基极电压( IE = 0 )
集电极 - 发射极电压( VBE = 0 )
集电极 - 发射极电压( IB = 0 )
发射极 - 基极电压( IC = 0 )
集电极电流
集电极电流峰值( t≤10ms )
基极电流
Tc=25°C
总功耗在
Ta=25°C
储存温度
马克斯。工作结温
价值
45
45
45
5
4
7
1
25
1.5
-55到150
150
TO-126
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
5
83
° C / W
° C / W
电气特性
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
符号
ICBO
IEBO
* VCEO ( SUS)
* VCE (SAT)
* VBE
*的hFE
fT
参数
集电极截止电流( IE = 0 )
集电极截止电流
(VBE=0)
发射极截止电流( IC = 0 )
集电极 - 发射极可持续
电压(IB = 0)
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极电压
直流电流增益
跃迁频率
测试条件
VCB=45V
VCE=45V
VEB=5V
IC=100mA
IC = 2A , IB = 0.2A
IC=10mA,VCE=5V
IC = 2A , VCE = 1V
IC = 10毫安, VCE = 5V
IC = 0.5A , VCE = 1V
IC = 2A , VCE = 1V
IC = 0.25A , VCE = 1V
45
-
-
-
30
85
40
3
-
0.4
0.58
-
130
140
-
-
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
100
100
1
-
0.6
-
1.2
-
-
-
-
单位
uA
uA
mA
V
V
V
V
兆赫
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HBD437T
HSMC产品规格