HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6621 -A
发行日期： 1994年9月8日
修订日期： 2000年10月1日
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HBD238
PNP外延平面晶体管
描述
该HBD238是专为中等功率线性和开关
应用程序。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -50 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（TC = 25℃） ........................................ ............................................ 25瓦
•
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ...................................... -100 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ..................................... -80 V
BVEBO发射器基极电压............................................. ............................................. -5 V
BVCER发射器基极电压............................................. ......................................... -100 V
IC集电极电流............................................................................................................. -2 A
IC集电极电流（脉冲） ............................................ .................................................. .. -6 A
电气特性
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
* BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
* VBE （上）
*hFE1
*hFE2
fT
分钟。
-100
-80
-5
-
-
-
-
40
25
3
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-100
-1
-0.6
-1.3
-
-
-
单位
V
V
V
uA
mA
V
V
测试条件
IC=-1mA
IC=-100mA
IE=-100uA
VCB=-100V
VBE=-5V
IC = -1A ， IB = -0.1A
IC = -1A ， VCE = -2V
IC = -150mA ， VCE = -2V
IC = -1A ， VCE = -2V
VCE = -10V ， IC = -250mA ， F = 100MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
兆赫
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
