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HBD237 参数 Datasheet PDF下载

HBD237图片预览
型号: HBD237
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 27 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
 浏览型号HBD237的Datasheet PDF文件第2页  
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6622 -A
发行日期: 1994年9月8日
修订日期: 2000年10月1日
页页次: 1/2
HBD237
NPN外延平面晶体管
描述
该HBD237是专为中等功率线性和开关
应用程序。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -50 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................ 25瓦
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ....................................... 100伏
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... 80 V
BVEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 5 V
BVCER发射器基极电压............................................. .......................................... 100伏
IC集电极电流.............................................................................................................. 2将
IC集电极电流(Pulse).................................................................................................. 6的
电气特性
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
* BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (上)
*hFE1
*hFE2
fT
分钟。
100
80
5
-
-
-
-
40
25
3
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
1
0.6
1.3
-
-
-
单位
V
V
V
uA
mA
V
V
测试条件
IC=1mA
IC=100mA
IE=100uA
VCB=100V
VBE=5V
IC = 1A , IB = 0.1A
IC = 1A , VCE = 2V
IC = 150毫安, VCE = 2V
IC = 1A , VCE = 2V
VCE = 10V , IC = 250毫安中,f = 100MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
HSMC产品规格