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HBC807图片预览
型号: HBC807
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 32 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6830
发行日期: 1994年1月25日
修订日期: 2002年10月24日
页页次: 1/3
HBC807
PNP外延平面晶体管
描述
该HBC807被设计用于切换和AF放大器放大
适用于驱动级和低功率输出级。
绝对最大额定值
SOT-23
最高温度
存储温度................................................ .......................................... -55到+150
°C
连接点Temperature.................................................................................................... 150
°C
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 225毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCES集电极 - 基极电压............................................. ........................................... -50 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ -45 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ -5 V
IC收藏家Current....................................................................................................... -800毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCEO
BVces
BVEBO
IEBO
* VCE (SAT)
VBE (ON)的
*的hFE
fT
COB
分钟。
-45
-50
-5
-
-
-
-
100
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
100
-
马克斯。
-
-
-
-100
-100
-700
-1.2
630
-
12
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
兆赫
pF
测试条件
IC=-10mA
IC=-100uA
IE=-100uA
VCE=-25V
VEB=-4V
IC = -500mA , IB = -50mA
VCE = - 1V , IC = -300mA
VCE = - 1V , IC = -100mA
VCE = -5V , IC = -10mA , F = 100MHz的
VCB = -10V , F = 1MHz时, IE = 0
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
分类的hFE的
的hFE
9FA(16)
100-250
9FB(25)
160-400
9FC(40)
250-630
HBC807
HSMC产品规格