HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6854
发行日期： 1997年4月28日
修订日期： 2002年10月24日
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HBAT54\A\C\S
描述
硅肖特基二极管双
特点
这些二极管具有极低的导通电压和快速切换。
有防过电压如PN结保护环
电子阁楼放电保护这些设备。
SOT-23
绝对最大额定值
•
最高温度
存储温度................................................ .............................................. -65 〜 + 125
°C
结温................................................ .................................................. .. 125
°C
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ........................................ 230毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
重复峰值反向电压.............................................. .......................................... 30 V
正向连续电流............................................... ........................................... 200毫安
重复峰值正向电流.............................................. .................................... 300毫安
正向电流浪涌(tp<1s)....................................................................................... 600毫安
特征
(Ta=25°C)
特征
反向击穿电压
符号
V（ BR ）R
VF(1)
VF(2)
VF(3)
VF(4)
VF(5)
IR
CT
TRR
条件
IR=10uA
IF=0.1mA
IF=1mA
IF=10mA
IF=30mA
IF=100mA
VR=25V
VR = 1V ， F = 1MHz的
IF = IR = 10毫安RL = 100Ω
测量IR = 1毫安
分钟。
30
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
240
320
400
500
1000
2.0
10
5
单位
V
mV
mV
mV
mV
mV
uA
pF
nS
正向电压
反向电流
总电容
反向恢复时间
HBAT54 ， HBAT54A ， HBAT54C ， HBAT54S
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
