H6968CTS 参数 Datasheet PDF下载

型号：	H6968CTS
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内容描述：	双N沟道增强型MOSFET （ 20V ， 6.5A ）电池开关， ESD保护） [Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6.5A) Battery Switch, ESD Protected)]
分类和应用：	电池开关
文件页数/大小：	4 页 / 42 K
品牌：	HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]

HI- SINCERITY

微电子股份有限公司。

规格。编号： MOS200610

发行日期： 2006.06.01

修订日期： 2006年6月28日

页页次： 1/4

H6968CTS

双N沟道增强型MOSFET （ 20V ， 6.5A ）

（电池开关， ESD保护）

8引脚塑料

TSSOP-8

封装代码： TS

H6968CTS符号&引脚分配

引脚1 ：漏

引脚2 /3： 1来源

引脚4 ： 1号门

引脚5 ： 2门

引脚6/7 ： 2来源

引脚8 ：漏

特点

•

DS （ ON）

<32mΩ@V

= 2.5V ，我

=5.5A

•

DS （ ON）

<24mΩ@V

= 4.5V ，我

=6.5A

•

先进的加工技术

•

对于超低导通电阻高密度电池设计

•

专为锂离子电池组使用

•

专为电池开关Appliactions

•

ESD保护

绝对最大额定值

（T = 25℃，除非另有说明）

符号

, T

英镑

θJA

ESD

漏源电压

栅源电压

漏电流（连续）

漏电流（脉冲）

参数

评级

±12

6.5

1.5

0.96

-55到+150

2000

单位

°C

° C / W

总功率耗散@T

=25

总功率耗散@T

=75

工作和存储温度范围

热阻结到环境（PCB安装）

ESD保护上的栅极和源极

* 1：最大直流电流的环境条件下在室温下在受限于封装。

* 2： 1中

2盎司铜PCB板

H6968CTS

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