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    H603AL 参数 Datasheet PDF下载

    H603AL图片预览
    型号： H603AL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 63 K
    品牌： HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
     浏览型号H603AL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号H603AL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号H603AL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号H603AL的Datasheet PDF文件第5页  
    HI- SINCERITY
    微电子股份有限公司。
    规格。编号：初步数据
    发行日期： 1998年7月1日
    修订日期： 1999年8月1日
    页页次： 4/5
    Transductance变化&漏电流&
    温度
    30
    TJ=25°C
    最大安全工作区
    100
    漏源电流（A ）
    25
    1us
    TJ=125°C
    RDS（ON）线
    1ms
    跨导（S ）
    20
    15
    10
    10ms
    100ms
    VGS=20V
    单脉冲
    TC=25°C
    10
    5
    Dc
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    1
    0.1
    1
    10
    100
    漏电流（ A）
    漏源极电压（ V）
    Trancient热响应曲线
    1
    标准化的有效瞬态热
    阻力
    0.5
    0.2
    0.1
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    单脉冲
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    1000
    RθJC （吨） = R（T） * RθJC （t）的
    RθJC = 2.5
    °C
    / W
    P（ PK）
    t1
    t2
    TJ -TC = P * RθJC （ T）
    占空比D = T1 / T2
    时间（ms）
    HSMC产品规格

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