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H50N03E 参数 Datasheet PDF下载

H50N03E图片预览
型号: H50N03E
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内容描述: N沟道增强型MOSFET ( 25V , 50A ) [N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 50A)]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 54 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
TO- 220AB尺寸
标记:
A
D
B
E
C
F
无铅标志
无铅: "
.
& QUOT ;
(注)
普通:无
H
规格。编号: MOS200519
发行日期: 2005年12月1日
修订日期:二〇〇五年十二月一十六日
页页次: 4/5
E
5 0N0 3
日期代码
控制代码
H
I
G
TAB
P
L
J
M
3
2
1
O
N
K
注:绿色标签用于无铅封装
插针形式: 1.Gate 2 & Tab.Drain 3.Source
材质:
铅焊料镀层:近共晶Sn60 / Pb40软(普通)
SN / 3.0Ag / 0.5Cu的或纯锡(无铅)
模具化合物:环氧树脂系列,
易燃固体燃烧等级: UL94V- 0
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
分钟。
5.58
8.38
4.40
1.15
0.35
2.03
9.66
-
-
3.00
0.75
2.54
1.14
-
12.70
14.48
马克斯。
7.49
8.90
4.70
1.39
0.60
2.92
10.28
*16.25
*3.83
4.00
0.95
3.42
1.40
*2.54
14.27
15.87
* :典型,单位:mm
3引脚TO- 220AB
塑料包装
HSMC包装代码:电子
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不HSMC的事先书面批准。
HSMC保留随时修改其产品,恕不另行通知。
HSMC半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
HSMC自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
总公司
(高诚微电子公司) : 10F ,没有。 61 ,秒。 2 ,中山北路。台北台湾中华民国
联系电话: 886-2-25212056传真: 886-2-25632712 , 25368454
工厂1 :
38号,光复南路,福寇新竹工业园区新竹台。 R.O.C
电话: 886-3-5983621 〜 5传真: 886-3-5982931
H50N03E
HSMC产品规格