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H2N6718V 参数 Datasheet PDF下载

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型号: H2N6718V
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 42 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6616 -B
发行日期: 1993年9月24日
修订日期: 2000年12月1日
页页次: 1/4
H2N6718V
NPN外延平面晶体管
描述
该H2N6718V是专为通用中等功率
放大器和开关。
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ...........................................为1.6W
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ....................................... 100伏
BVCEO集电极到发射极电压............................................. .................................... 100伏
BVEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 5 V
IC集电极电流.............................................................................................................. 1
电气特性
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
* VCE (SAT)
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
COB
分钟。
100
100
5
-
-
80
50
20
50
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
350
-
250
-
-
20
单位
V
V
V
nA
mV
测试条件
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 1mA时, IB = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCB = 80V , IE = 0
IC = 350mA电流IB = 35毫安
IC = 50mA时VCE = 1V
IC = 250毫安, VCE = 1V
IC = 500毫安, VCE = 1V
VCE = 10V , IC = 50mA时F = 100MHz的
VCB = 10V , F = 1MHz时, IE = 0
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
pF
HSMC产品规格