HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6274 -B
发行日期： 1994年11月18日
修订日期： 2000年9月15日
页页次： 1/3
H2N6427
NPN外延平面晶体管
描述
达林顿晶体管
绝对最大额定值
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ....................................... 625毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... 40 V
VCES集电极到发射极电压............................................. ......................................... 40 V
VEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 12 V
IC集电极电流...................................................................................................... 500毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVces
BVEBO
ICBO
IEBO
冰
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
* VBE （SAT）
VBE （ON）的
*hFE1
*hFE2
*hFE3
COB
分钟。
40
40
12
-
-
-
-
-
-
-
10
20
14
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
0.71
0.9
1.52
1.24
-
-
-
5.4
马克斯。
-
-
-
50
50
1
1.2
1.5
2.0
1.75
100
200
140
7
单位
V
V
V
nA
nA
uA
V
V
V
V
K
K
K
pF
测试条件
IC = 100uA的， IE = 0
IC = 10uA的， IB = 0
IE =为10uA ， IC = 0
VCB = 30V ， IE = 0
VEB = 10V ， IC = 0
VCE = 25V ， VBE = 0
IC = 50mA时IB = 0.5毫安
IC = 500毫安， IB = 0.5毫安
IC = 500毫安， IB = 0.5毫安，
VCE = 5V ， IC = 50毫安
VCE = 5V ， IC = 10毫安
VCE = 5V ， IC =百毫安
VCE = 5V ， IC = 500毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
