HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6219
发行日期: 1992年9月21日
修订日期: 2002年2月20日
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H2N5551
NPN外延平面晶体管
描述
该H2N5551被设计为放大晶体管。
特点
•
补充到PNP型H2N5401
•
高集电极 - 发射极击穿电压( VCEO>160V ( @ IC = 1毫安) )
TO-92
绝对最大额定值
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................ 625毫瓦
•
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... 180 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ....................................... 160 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 6 V
IC集电极电流....................................................................................................... 600毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VBE(sat)1
*VBE(sat)2
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
COB
分钟。
180
160
6
-
-
-
-
-
-
80
80
50
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
160
-
-
-
马克斯。
-
-
-
50
50
0.15
0.2
1
1
-
400
-
300
6
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
测试条件
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 1mA时, IB = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCB = 120V , IE = 0
VEB = 4V , IC = 0
IC = 10毫安, IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5毫安
IC = 10毫安, IB = 1毫安
IC = 50mA时IB = 5毫安
VCE = 5V , IC = 1毫安
VCE = 5V , IC = 10毫安
VCE = 5V , IC = 50毫安
VCE = 10V , IC = 10毫安中,f = 100MHz的
VCB = 10V , F = 1MHz时, IE = 0
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
pF
中hFE2分类
秩
范围
H2N5551
A
80-200
N
100-250
C
160-400
HSMC产品规格