HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6203
发行日期： 1992年9月22日
修订日期： 2002年2月20日
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H2N5401
PNP外延平面晶体管
描述
该H2N5401是专为一般用途的应用要求
高击穿电压。
特点
•
补充到NPN型H2N5551
•
高集电极 - 发射极击穿电压（ VCEO = 150V （ @ IC = 1毫安） ）
TO-92
绝对最大额定值
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ........................................ 625毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ......................................... -160 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... -150 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ -5 V
IC收藏家Current....................................................................................................... -600毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VBE(sat)1
*VBE(sat)2
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
COB
分钟。
-160
-150
-5
-
-
-
-
-
-
50
80
50
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
160
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-50
-50
-0.2
-0.5
-1
-1
-
400
-
300
6
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
测试条件
IC = -100uA ， IE = 0
IC = -1mA ， IB = 0
IE = -10uA ， IC = 0
VCB = -120V ， IE = 0
VEB = -3V 。 IC = 0
IC = -10mA ， IB = -1mA
IC = -50mA ， IB = -5mA
IC = -10mA ， IB = -1mA
IC = -50mA ， IB = -5mA
VCE = -5V ， IC = -1mA
VCE = -5V ， IC = -10mA
VCE = -5V ， IC = -50mA
VCE = -10V ， IC = -10mA ， F = 100MHz的
VCB = -10V ， F = 1MHz时， IE = 0
兆赫
pF
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
中hFE2分类
秩
范围
H2N5401
A
80-200
N
100-240
C
160-400
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
