HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6273 -B
发行日期： 1993年12月8日
修订日期： 2000年9月15日
页页次： 1/3
H2N5089
NPN外延平面晶体管
描述
晶体管放大器。
绝对最大额定值
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ....................................... 350毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... 30 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ 25 V
VEBO发射器基极电压............................................. ............................................. 4.5 V
IC集电极电流......................................................................................................... 50毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
VBE （ON）的
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
COB
分钟。
30
25
4.5
-
-
-
-
400
450
400
50
-
典型值。
-
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-
-
-
-
马克斯。
-
-
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50
100
0.5
0.8
1200
-
-
-
4.0
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
测试条件
IC = 100uA的， IE = 0
IC = 1mA时， IB = 0
IE =为10uA ， IC = 0
VCB = 15V ， IE = 0
VEB = 4.5V ， IC = 0
IC = 10毫安， IB = 1毫安
IC = 10毫安， IB = 5V
VCE = 5V ， IC = 0.1毫安
VCE = 5V ， IC = 1毫安
VCE = 5V ， IC = 10毫安
VCE = 5V ， IC = 0.5毫安， F = 20MHz的
VCB = 5V ， F = 1MHz时， IE = 0
兆赫
pF
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
