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H2N4124 参数 Datasheet PDF下载

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型号: H2N4124
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 37 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6240 -B
发行日期: 1992年11月25日
修订日期: 2000年9月1日
页页次: 1/3
H2N4124
NPN外延平面晶体管
描述
该H2N4124是专为通用开关和
放大器应用。
特点
补充H2N4126
低集电极到发射极饱和电压
绝对最大额定值
最高温度
存储Temperature............................................................................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ...................................... 350毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... 30 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ 25 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ 5 V
IC集电极电流....................................................................................................... 200毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
30
25
5.0
-
-
-
-
120
60
300
-
马克斯。
-
-
-
50
50
0.3
950
360
-
-
4
单位
V
V
V
nA
nA
V
mV
测试条件
IC = 10uA的, IE = 0
IC =为1mA。 IB = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCB = 20V , IE = 0
VEB = 3V , IC = 0
IC = 50mA时IB = 5毫安
IC = 50mA时IB = 5毫安
VCE = 1V , IC = 2毫安
VCE = 1V , IC = 50毫安
VCE = 20V , IC = 10毫安,, F = 100MHz的
VCB = 5V , IE = 0 , F = 100MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
pF
HSMC产品规格