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H2N3417 参数 Datasheet PDF下载

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型号: H2N3417
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 37 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6267 -B
发行日期: 1992年11月25日
修订日期: 2000年9月1日
页页次: 1/3
H2N3417
NPN硅晶体管
描述
该H2N3417是设计了一个硅NPN平面外延晶体管
对于小信号的通用和开关应用。
绝对最大额定值
最高温度
存储Temperature............................................................................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ...................................... 625毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... 50 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ 50 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ 5 V
IC集电极电流...................................................................................................... 500毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
*的hFE
分钟。
50
50
5
-
-
-
-
180
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
100
300
850
540
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
-
测试条件
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 1mA时, IB = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCB = 50V , IE = 0
VEB = 5V , IC = 0
IB = 3mA电流, IC = 50毫安
IB = 3mA电流, IC = 50毫安
VCE = 4.5V , IC = 2毫安
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HSMC产品规格