HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
电气特性
(T
j
= 25 ℃，除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
ΔV
（ BR ） DSS
/ΔT
J
规格。编号： MOS200902
发行日期： 2009.01.20
修订日期：
页页次： 2/4
特征
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
漏极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源正向漏
栅极 - 源极反向漏
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25
o
C，我
D
=1mA
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=400V, V
GS
= 0V ，T
j
=125°C
V
GSF
=30V, V
DS
=0V
V
GSR
=-30V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=6.0A
*4
V
DS
= 40V ，我
D
=6.0A
分钟。
600
-
-
-
-
2
-
-
典型值。
-
0.58
-
-
-
-
-
5
1830
157
2.2
50
50
311
55
52
10
19
马克斯。
-
-
10
60
100
-100
4
0.8
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V/
o
C
uA
uA
nA
nA
V
Ω
S
pF
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
(V
DD
= 325V ，我
D
= 12A ，R
G
=4.7Ω,
R
D
=32Ω)
*4
ns
(V
DS
= 520V ，我
D
= 12A ，V
GS
=10V)
*4
nC
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
连续源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
特征
显示第1页MOSFET符号
积分反向P-N结二极管。
I
S
= 12A ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°C
*4
分钟。
-
-
典型值。
-
-
MAX 。单位
12
1.4
A
V
* 4 ：脉冲测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％
*5: C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
H10N60F
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
