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    H05N60E 参数 Datasheet PDF下载

    H05N60E图片预览
    型号： H05N60E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道功率场效应晶体管 [N-Channel Power Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 61 K
    品牌： HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
     浏览型号H05N60E的Datasheet PDF文件第1页浏览型号H05N60E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号H05N60E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号H05N60E的Datasheet PDF文件第5页  
    HI- SINCERITY
    微电子股份有限公司。
    特性曲线
    在区域特征
    10
    9
    V
    GS
    =10V
    V
    GS
    =8V
    V
    GS
    =6V
    6
    5
    V
    GS
    =5V
    4
    3
    800
    1000
    规格。编号： MOS200603
    发行日期： 2006年2月1日
    修订日期： 2006年2月7日
    页页次： 3/5
    电容特性
    I
    D
    ，漏源电流（A ）
    .
    …
    8
    7
    电容（pF）
    西塞
    600
    CRSS
    400
    科斯
    2
    1
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    GS
    =4V
    0
    0.1
    1
    10
    100
    200
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    V
    DS
    ， Deain - 源极电压（ V）
    导通电阻随温度的变化
    2.500
    2.400
    漏电流的变化与栅极电压和
    温度
    6
    V
    DS
    =10 V
    TC = 25℃
    o
    R
    DS （ ON）
    归漏源
    导通电阻
    V
    GS
    =10V
    2.200
    2.100
    2.000
    I
    D
    ，漏源电流（A ）
    .
    …
    2.300
    5
    4
    I
    D
    =3A
    1.900
    1.800
    1.700
    1.600
    1.500
    0
    25
    50
    75
    100
    3
    2
    1
    0
    T
    C
    ，外壳温度（ C）
    o
    125
    150
    0.0
    1.0
    2.0
    3.0
    4.0
    5.0
    6.0
    7.0
    8.0
    V
    GS
    ，栅源电压（V ）
    典型导通电阻&漏电流
    2.5
    10
    最大安全工作区
    1ms
    R
    DS （ ON）
    漏源导通电阻
    ...
    2.4
    2.3
    V
    GS
    =10V
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    2.2
    2.1
    2.0
    1.9
    1.8
    1.7
    1.6
    1.5
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    11
    12
    V
    GS
    =15V
    100ms
    10ms
    1
    0.1
    10
    100
    1000
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    H05N60E ， H05N60F
    HSMC产品规格

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