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H02N65图片预览
型号: H02N65
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内容描述: N沟道功率场效应晶体管 [N-Channel Power Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 171 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
TO- 220AB尺寸
标记:
A
D
B
E
C
F
规格。编号: MOS200910
发行日期: 2009.04.07
修订日期:
页页次: 5/6
H
I
G
TAB
P
L
J
M
3
2
1
O
N
K
注:绿色标签用于无铅封装
插针形式: 1.Gate 2 & Tab.Drain 3.Source
材质:
铅焊料镀层:近共晶Sn60 / Pb40软(普通)
SN / 3.0Ag / 0.5Cu的或纯锡(无铅)
模具化合物:环氧树脂系列,
易燃固体燃烧等级: UL94V- 0
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
分钟。
5.58
8.38
4.40
1.15
0.35
2.03
9.66
-
-
3.00
0.75
2.54
1.14
-
12.70
14.48
马克斯。
7.49
8.90
4.70
1.39
0.60
2.92
10.28
*16.25
*3.83
4.00
0.95
3.42
1.40
*2.54
14.27
15.87
* :典型,单位:mm
3引脚TO- 220AB
塑料包装
HSMC包装代码:电子
TO- 220FP尺寸
标记:
A
α
1
D
α
4
Ø ê
C
α
2
α
3
α
5
I
N
3
G
J
注:绿色标签用于无铅封装
插针形式: 1.Gate 2.Drain 3.Source
材质:
铅焊料镀层:近共晶Sn60 / Pb40软(普通)
SN / 3.0Ag / 0.5Cu的或纯锡(无铅)
模具化合物:环氧树脂系列,
易燃固体燃烧等级: UL94V- 0
F
2
K
1
M
L
暗淡
A
C
D
E
F
G
I
J
K
L
M
N
O
α1/2/4/5
α3
分钟。
6.48
4.40
2.34
0.45
9.80
3.10
2.70
0.60
2.34
12.48
15.67
0.90
2.00
-
-
马克斯。
7.40
4.90
3.00
0.80
10.36
3.60
3.43
1.00
2.74
13.60
16.20
1.47
2.96
o
*5
o
*27
* :典型,单位:mm
3引脚TO- 220FP
塑料包装
HSMC包装代码:F
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不HSMC的事先书面批准。
HSMC保留随时修改其产品,恕不另行通知。
HSMC半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
HSMC自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
总公司
(高诚微电子公司) : 10F ,没有。 61 ,秒。 2 ,中山北路。台北台湾中华民国
联系电话: 886-2-25212056传真: 886-2-25632712 , 25368454
H02N60E , H02N60F
HSMC产品规格