HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
电气特性
(T
例
= 25 ℃，除非另有规定）
符号
开/关
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
动态
g
FS*1
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
≥I
D（上）
xR
DS （ ON）最大值。
, I
D
=0.5A
-
-
-
-
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
(V
GS
=0)
门体漏电流
(V
DS
=0)
栅极阈值电压
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
DS
=最大。等级
V
DS
=最大。评级，T
C
=125
o
C
V
GS
=±30V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
450
-
-
-
2.3
-
特征
测试条件
分钟。
规格。编号： MOS200408
发行日期： 2004年11月1日
修订日期： 2005年3月10日
页页次： 2/4
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
3
4.1
-
1
50
±100
3.7
4.5
V
uA
nA
V
Ω
静态漏源导通电阻V
GS
= 10V ，我
D
=0.5A
1.1
185
27.5
6
-
230
-
10
S
pF
接通
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(V
DS
= 360V ，我
D
= 0.5A ，V
GS
=10V,
R
G
=4.7Ω)
(V
DD
= 225V ，我
D
= 0.5A ，R
G
=4.7Ω,
V
GS
=10V)
-
-
-
-
-
6.7
4
14
2
3.2
-
-
20
-
-
nC
ns
关闭
t
R（ Voff时）
t
f
t
C
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
(V
DD
= 360V ，我
D
= 1.5A ，R
G
=4.7Ω,
V
GS
=10V)
-
-
-
8.5
12
18
-
-
-
ns
源漏二极管
I
SD
I
SDM*2
V
SD*1
t
rr
Q
rr
I
RRM
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 1.5A ，V
GS
=0
I
SD
= 1.5A ，的di / dt = 100A / us的
V
DD
= 100V ，T
J
=150oC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
225
530
4.7
1.5
6
1.6
-
-
-
A
V
ns
uC
A
* 1 ：脉冲测试：脉冲宽度= 300US ，占空比1.5 ％
* 2 ：脉冲宽度有限的安全工作区。
H01N45A
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
