封装特性
为-40°C
≤
T
A
≤
85 ℃，除非另有规定。所有的标准结构在T
A
= 25°C.
参数
符号
输入输出瞬间
V
ISO
耐压*
电阻，输入输出
R
我-O
电容输入输出
C
我-O
分钟。
2500
典型值。
MAX 。单位
V有效值
Ω
pF
测试条件
RH
≤
50％时， t为1分钟，
T
A
= 25°C
V
我-O
= 500 V
F = 1 MHz的
图。笔记
3, 9
3
3
10
12
0.6
*该输入 - 输出瞬时耐压是电介质的额定电压不应该被解释为输入 - 输出
连续的额定电压。对于连续额定电压指的是VDE 0884绝缘特性表（如适用） ，
你的装备等级的安全标准，或HP应用笔记1074 ， “光耦输入 - 输出耐压。 ”
注意事项：
1.绕过电源线是
用0.1所需
µF
陶瓷盘
相邻的光电耦合器的电容
如图19所示的功率
对于光耦电源总线（S ）
应独立于总线
任何有源负载，否则较大
旁路电容的值（最多
0.5
µF)
可能需要抑制
通过电源回馈
供应量。
2.峰值电路可能会产生短暂的
输入电流高达100毫安， 500纳秒
最大脉冲宽度，设置
平均电流不超过5毫安。
3.设备视为一个双端
设备：引脚1 ，2，3和4短路
在一起，并且销5 ，6，7 ，和8
短接在一起。
4.吨
PLH
传播延迟是
从上所述的50％的点处测量
尾随的输入脉冲边沿的
1.5V的点上的后缘
输出脉冲。
5吨
PHL
传播延迟是
从上所述的50％的点处测量
导致输入脉冲的边沿的
1.5 V点的前缘
输出脉冲。
6. CM
H
是的最大容许速度
共模电压以上升
保证该输出将保持在
高逻辑状态（即，V
OUT
＆ GT ; 2.0 V） 。
7. CM
L
是的最大容许速度
落入共模电压以
保证该输出将保持在
低逻辑状态（即，V
OUT
< 0.8V） 。
8. C
P
是的调峰容量。请参阅
测试电路在图8中。
9.根据UL 1577 ，每个
光电耦合器是一时承受
证明通过施加绝缘测试
测试电压
≥
3000 Vrms的1秒
（泄漏检测电流限制，
I
我-O
≤
5
µA).
这个试验进行
100％生产测试之前，
在所示的局部放电（方法二）
在VDE 0884绝缘Character-
istics表（如适用） 。
图2.典型的输入二极管
正向特性。
图3.典型输出电压 -
正向输入电流与
温度。
图4.典型的逻辑高电平输出。
电流与温度的关系。
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HP [ AGILENT(HEWLETT-PACKARD) ]
