封装特性
在推荐工作条件（T
A
= -55 〜+ 125 ℃），除非另有规定。
A组
亚
(13)
1
范围
单位
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
1.0
µA
5, 6
无花果
记
参数
输入输出
漏电流
符号
I
我-O
测试条件
V
我-O
= 1500VDC
RH = 45 ％ ，
吨= 5秒，
T
A
= 25°C
V
我-O
= 500 V
DC
F = 1 MHz的
阻力
（输入输出）
电容
（输入输出）
R
我-O
C
我-O
10
10
2.5
Ω
6
6
pF
*所有标准结构在T
A
= 25°C.
注意事项：
1.最大脉冲宽度= 10
µ
S，最大占空比= 0.2 ％ 。这个值是为了让与我的设计元件容差
O
最小峰值
= 2.0 A.有关其它细节部分的应用程序就限制我
OH
高峰期。
2.最大脉冲宽度= 50
µ
S，最大占空比= 0.5％。
4.最大脉冲宽度为1毫秒，最大占空比= 20％ 。
5.这是一个瞬时耐压试验，而不是一个操作条件。
6.设备认为是一个双端器件：在输入侧的引脚短接在一起，并且在输出侧的引脚短接在一起。
7.吨之间的差
PHL
和T
PLH
间相同的测试条件下的任何两个HCPL- 5120的部件。
8.引脚1和4需要被连接到LED通用。
在高状态9.共模瞬态抗扰度的最大耐受的dV
CM
/ dt的共模脉冲，V
CM
，以保证输出将
保持在高状态（即，V
O
> 15.0 V） 。
在低状态10.共模瞬态抗扰度的最大耐受的dV
CM
/ dt的共模脉冲，V
CM
，以保证输出将
保持在一个低的状态（即，V
O
< 1.0 V） 。
11.本负荷条件近似1200伏/ 75A IGBT的栅极负载。
12.脉冲宽度失真（PWD ）被定义为|吨
PHL
-t
PLH
|对于任何给定的设备。
13.标准件接收（群1和9 ） 100 ％的测试，在25 ℃。 SMD和H类部分获得100 ％的测试，25 ， 125 ，以及-55°C （群1和9 ，
2和10 ，图3和11 ，分别地） 。
14.参数进行测试的装置初步鉴定，并经过设计和工艺的变化的一部分。参数都保证了规定的限度
所有拍品没有经过专门测试。
3.在这个试验中V
OH
度用的直流负载电流。当驱动容性负载V
OH
将接近V
CC
我
OH
接近于零安培。
7
HP [ AGILENT(HEWLETT-PACKARD) ]
