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ATF-34143-TR1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ATF-34143-TR1
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内容描述: 低噪声赝HEMT的表面贴装塑料封装 [Low Noise Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package]
分类和应用:
文件页数/大小: 15 页 / 120 K
品牌: HP [ AGILENT(HEWLETT-PACKARD) ]
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5
ATF- 34143典型性能曲线,
持续
25
85
°C
25
°C
-40
°C
1.5
增益(分贝) ,的OP1dB和OIP3 ( dBm的)
33
31
的P1dB , OIP3 ( dBm的)
35
30
25
20
15
10
5
0
5.0
4.5
噪声系数(dB )
收益
OP1dB
OIP3
NF
29
27
25
23
21
19
P
1dB
OIP3
85
°C
25
°C
-40
°C
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
20
G
a
( dB)的
1.0
NF( dB)的
15
0.5
10
0
2000
4000
6000
频率(GHz )
0
8000
17
0
2000
4000
6000
8000
频率(MHz)
0
20
40
60
80
100 120 140
I
DSQ
(MA )
图14. FMIN和G
a
与频率的关系
和温度在V
DS
= 4 V,I
DS
= 60 mA的电流。
图15. P
1dB
, IP3与频率和
温度在V
DS
= 4 V,I
DS
= 60 mA的电流。
[1]
图16. NF ,增益的OP1dB和OIP3
与我
DS
在4 V和3.9 GHz的调谐的
噪声系数。
[1]
25
20
15
10
5
增益(分贝) ,的OP1dB和OIP3 ( dBm的)
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0
20
40
60
I
DSQ
(MA )
80
100
收益
OP1dB
OIP3
NF
5.0
4.5
噪声系数(dB )
25
20
15
10
5
0
-5
0
50
I
DS
(MA )
100
150
3V
4V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
120
P
1dB
( dBm的)
P
1dB
( dBm的)
0
-5
0
50
I
DS
(MA )
100
3V
4V
150
图17. NF ,增益的OP1dB和OIP3
与我
DS
在4 V和5.8 GHz的调谐的
噪声系数。
[1]
图18. P
1dB
与我
DS
有源偏置
调整为NF @ 4V , 60毫安在2 GHz 。
图19. P
1dB
与我
DS
有源偏置
调整为分NF @ 4V 60毫安
900兆赫。
注意:
1. P
1dB
测量与被动偏置进行。 Quicescent漏电流,I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
is
走近时,漏极电流可增大或减小取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
设备
运行更接近B级功率输出接近P
1dB
。这将导致更高的PAE (功率附加效率)相比,
由恒定电流源作为典型的做法是用有源偏置驱动的元件。作为一个例子,在一个V
DS
= 4 V和
I
DSQ
= 10 mA时,我
d
增大到62毫安作为P
1dB
的+19 dBm的逼近。