MAR6401 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MAR6401
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	P沟道高密度海沟 [P-Channel High Density Trench]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 205 K
品牌：	HOPERF [ Hope Microelectronics co., Ltd ]

P沟道高密度沟槽MOSFET

产品概述

DSS

MAR6401

特点

●超级高密度电池的沟槽设计，低R

DS （ ON）

●坚固可靠。

● SOT- 23-3L封装。

DS （ ON）

（米欧姆）最大

@ V

= -10V

-30V

-4.2A

@ V

= -4.5V

120 @ V

= -2.5V

SOT-23-3L

标记： A19T

绝对最大额定值（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续@ T

= 25 °C

-pulse

漏源二极管的正向电流

最大功率耗散

符号

英镑

极限

-30

± 12

-4.2

-16

-2.2

1.25

- 55〜 150

单位

°C

工作结存储

温度范围

热特性

参数

热阻，结到环境

记

一。表面安装在FR4板，T ≤ 5秒。

B 。脉冲测试脉冲宽度≤ 300US ，占空比≤ 2 ％。

符号

thJA

典型值

最大

100

单位

° C / W

电话： + 86-755-82973805

：

传真： + 86-755-82973550

电子信箱： sales@hoperf.com

http://www.hoperf.com

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案