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MAR1109 参数 Datasheet PDF下载

MAR1109图片预览
型号: MAR1109
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内容描述: N沟道MOSFET [N-channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 213 K
品牌: HOPERF [ Hope Microelectronics co., Ltd ]
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MAR1109
电气特性(T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极截止电流
门放电截止电压
正向转移导纳
正向转移导纳
输入电容
噪声电压
符号
I
DSS
V
GS ( OFF )
| y
fs1
| y
fs2
C
国际空间站
NV
|
|
该项目可以替代2SK1109
测试条件
V
DS
= 5.0 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 5.0 V,I
D
= 1.0
µ
A
DS
DS
分钟。
40
−0.1
350
350
典型值。
马克斯。
600
−1.0
单位
µ
A
V
= 5.0 V,I
D
= 30
µ
A,F = 1.0千赫
V
= 5.0 V, V
GS
= 0 V , F = 1.0千赫
V
µ
S
µ
S
7.0
1.8
8.0
3.0
pF
V
DS
= 5.0 V, V
GS
= 0 V , F = 1.0 MHz的
见测试电路
µ
V
噪声电压测试电路
+4.5 V
JIS A
NV ( r.m.s )
R = 1kΩ的
C = 10 pF的
电话: + 86-755-82973806
传真: + 86-755-82973550
3
电子信箱: sales@hoperf.com
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