HI- 3282 ， HI- 3282B
AC电气特性
VCC = 5V ， GND = 0V ， TA =工作温度范围和FCLK = 1MHz的+ 0.1 ％，与60/40的占空比
参数
控制字时序
脉冲宽度 - CWSTR
设置 - 数据总线有效到CWSTR高
持有 - CWSTR HIGH到数据总线高阻
接收时序
延迟 - 启动ARINC第32位到D / R低：高速
低速
延迟 - D / R低到EN L0W
延迟 - EN低到D / R高
设置 - SEL为EN L0W
保持 - SEL为EN HIGH
延迟 - EN L0W到数据总线有效
延迟 - EN HIGH到数据总线高阻
脉冲宽度 - EN1或EN2
间距 - EN HIGH到明年EN L0W
FIFO时序
脉冲宽度 - PL1和PL2
设置 - 数据总线有效到PL HIGH
持有 - PL HIGH到数据总线高阻
间距 - PL1和PL2
延迟 - PL2高到TX / R低
发送时序
间距 - PL2高到ENTX高
延迟 - ENTX高到429DO或429D0 ：高速
延迟 - ENTX高到429DO或429D0 ：低速
延迟 - 第32 ARINC位为TX / R高
间距 - TX / R高到ENTX L0W
中继器操作时序图
延迟 - EN低到PL低
持有 - PL HIGH到EN HIGH
延迟 - TX / R低到高ENTX
主复位脉冲宽度
ARINC数据速率和时序位
t
ENPL
t
PLEN
t
TX / REN
t
MR
0
0
0
50
± 1%
ns
ns
ns
ns
t
PL2EN
t
ENDAT
t
ENDAT
t
DTX / R
t
ENTX / R
0
0
25
200
50
µs
µs
µs
ns
ns
t
PL
t
DWSET
t
DWHLD
t
PL12
t
TX / R
50
50
10
0
840
ns
ns
ns
ns
ns
t
D / R
t
D / R
t
D / REN
t
END / R
t
SELEN
t
ENSEL
t
ENDATA
t
DATAEN
t
EN
t
恩恩
80
50
0
200
10
10
50
80
30
16
128
µs
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CWSTR
t
CWSET
t
CWHLD
50
50
0
ns
ns
ns
符号
范围
民
典型值
最大
单位
HOLT集成电路
9
HOLTIC [ HOLT INTEGRATED CIRCUITS ]
