HT46R01M/HT46R02M/HT48R01M/HT48R02M
绝对最大额定值
电源电压........................... V
SS
-0.3V
到V
SS
+6.0V
输入电压.............................. V
SS
-0.3V
到V
DD
+0.3V
I
OL
总................................................. ............. 100毫安
总功率耗散500mW的.....................................
存储温度............................- 50 ° C至125°C
工作温度...........................- 40 ° C至85°C
I
OH
Total............................................................-100mA
注意：这些压力额定值只。应力超过范围的规定下，
“绝对
最大Ratings²可能
对器件造成实质性损害。该器件在超出所列条件下运行
在规范中，是不是暗示和长时间暴露在极端条件下可能会影响器件的可靠性。
直流特性
测试条件
符号
参数
V
DD
V
DD
工作电压
工作电流
（ HXT ， HIRC ， ERC ）
工作电流
（ HXT ， HIRC ， ERC ）
工作电流
（ HIRC + LXT ，低速模式）
待机电流
（ LIRC开， LXT关）
待机电流
（ LIRC关， LXT关）
待机电流
（ LIRC关， LXT开， LXTLP = 1 ）
输入低电压I / O，
在TCn和INT
输入高电压的I / O，
在TCn和INT
输入低电压（ RES ）
输入高电压（ RES ）
低电压复位3
I / O口灌电流
I / O端口源电流
PA7灌电流
内部上拉电阻
¾
3V
3V
3V
3V
3V
3V
¾
¾
¾
¾
¾
3V
3V
3V
3V
条件
f
SYS
=4MHz
f
SYS
=8MHz
无负载，女
SYS
=4MHz
无负载，女
SYS
=8MHz
无负载，女
SYS
=32768Hz
（ LVR禁用， LXTLP = 1 ）
无负载，系统HALT
无负载，系统HALT
无负载，系统HALT
¾
¾
¾
¾
VLVR = 2.1V
V
OL
=0.1V
DD
V
OH
=0.9V
DD
V
OL
=0.1V
DD
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
0
0.7V
DD
0
0.9V
DD
1.98
4
-2
0.8
20
3.0
3.0
0.8
1.4
5
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
2.1
8
-4
1.2
60
3.3
3.3
1.2
2.1
10
5
1
5
0.3V
DD
V
DD
0.4V
DD
V
DD
2.22
¾
¾
¾
100
分钟。
典型值。
马克斯。
Ta=25°C
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
kW
I
DD1
I
DD2
I
DD4
I
STB1
I
STB2
I
STB3
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
LVR
I
OL1
I
OH
I
OL2
R
PH
注：待机电流（I
STB1
~I
STB3
）和我
DD4
测量所有I / O引脚的输入模式，并连接到V
DD
.
修订版1.10
5
2010年3月8日
HOLTEK [ HOLTEK SEMICONDUCTOR INC ]
