HT46R24/HT46C24
值从堆栈。在系统复位后，指针会指向
到堆栈的顶部。
如果堆栈已满，且有非屏蔽的中断发生
的地方，中断请求标志会被记录下来，而
响应会被抑制。当堆栈
指针减少（执行RET或RETI ） ，中断是
服务。这个功能可以防止堆栈溢出，使得
程序员更容易地使用这种结构。如果
堆栈满和
CALL子程序
随后执行，
发生堆栈溢出，首先进入将会丢失（只
最近16个返回地址会被保留） 。
数据存储器
-
内存
数据存储器（RAM）被设计424'8位
并且被分成两个官能团，即; spe-
CIAL功能寄存器（ 40'8位）和通用
数据存储器（银行0 ： 192×8位，银行1 ： 192×8
位），其中大多数是可读/写的，但
有些是只读的。
特殊功能寄存器重叠在任何
银行。这两种类型的官能团，特
功能寄存器包括间接寻址稳压的
存器0 （ 00H ），存储器指针寄存器0 （ MP0 ; 01H ） ，
间接寻址寄存器1 （ 02H ），存储器
指针寄存器1 （ MP1 ; 03H ） ，一组指针（ BP ; 04H ） ，
一个累加器（ ACC ; 05H ） ，程序计数器
低字节寄存器（ PCL ; 06H ），表格指针
（ TBLP ; 07H ） ，表格内容高字节寄存器
（ TBLH ; 08H ） ，状态寄存器（ STATUS ; 0AH ） ，一个跨
中断控制寄存器0 （ INTC0 ; 0BH ） ，定时/
计数器0 （ TMR0H ： 0CH ; TMR0L ： 0DH ） ，定时/
计数器0控制寄存器（ TMR0C ; 0EH ） ，定时/
计数器1 （ TMR1H ： 0FH ; TMR1L ： 10H ） ，定时/
计数器1控制寄存器（ TMR1C ; 11H ） ，中断CON-
控制寄存器1 （ INTC1 ; 1EH ） ， PWM数据寄存器
（ PWM0 ; 1AH ， PWM1 ; 1BH ， PWM2 ; 1路， PWM3 ; 1DH ）
在我
2
C总线从设备地址寄存器（ HADR ; 20H ） ，在我
2
C
总线控制寄存器（ HCR ; 21H ）时，我
2
C总线稳压状态
I ST Ë R（ ^ h S R ; 22H ） ，T我他
2
C B美ð一件T A R例如是德ř
（ HDR ; 23H ） ， A / D转换结果低字节寄存器
（ ADRL ; 24H ） ， A / D转换结果高字节寄存器
（ ADRH ; 25H ） ， A / D转换控制寄存器（ ADCR ; 26H ）时，
A / D时钟设置寄存器（ACSR ; 27H ） ， I / O寄存器
（ PA ， 12H ， PB ; 14H ，PC ; 16H和PD ; 18H ， PF ; 28H）和I / O
控制寄存器（ PAC ; 13H ， PBC ; 15H ， PCC ; 17H ，
PDC ; 19H ， PFC ; 29H ） 。之前的剩余空间
40H保留供未来扩展使用，读取
这些地址的
²00H².
前40H的空间
重叠在每家银行。通用数据
内存地址从40H到FFH （存储区0 ; BP = 0或
BANK1 ;的BP = 1）时，用于数据和控制信息
根据指令的命令。
所有的数据存储器单元可以处理运算，
逻辑，递增，递减和循环操作
正确。除了一些特殊位，在每个位
数据存储器可以设置和复位
➀Set
[M ] .i或
²CLR
[M ] .i指令。而且都可以通过间接访问
内存指针寄存器（ MP0 ; 01H / MP1 ; 03H ） 。该
40H之前的空间重叠在每家银行。
在首先建立以BP的价值
²01H²
访问
银行1 ，这家银行然后必须用间接访问
MP1指针。与BP设定的一个值
²01H²,
使用MP1间接读取或写入数据
从40H地址内存区〜 FFH ，将导致
在操作银行1.直接寻址数据
0 0 H
0 1 H
0 2 H
0 3 H
0 4 H
0 5 H
0 6 H
0 7 H
0 8 H
0 9 H
0 ^ h
0 B H
0建华
0深高
0 E ^ h
0 F H
1 0 H
1 1 H
1 2 H
1 3 H
1 4 H
1 5 H
1 6 H
1 7 H
1 8 H
1 9 H
1 ħ
1 B H
1建华
1深高
1 C ^ h
1 F H
2 0 H
2 1 H
2 2 H
2 3 H
2 4 H
2 5 H
2 6 H
2 7 H
2 8 H
2 9 H
3 0 H
3 F H
4 0 H
H A ，D R
ħ C R
ħ S R
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A D R L
A D R H
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牛逼M R 0 H
牛逼M R 0 L
牛逼M R 0℃
牛逼M R 1小时
牛逼M R 1升
Tm值R 1 C
P A
P A C
P B
P B C
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P D C
P女男0
P女男1
P女男2
P女男3
在T C 1
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在D IR权证吨A D ，D R （E S） S IN克ř例如为TE R 0
M·P 0
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内存映射
修订版2.00
8
2006年3月2日
HOLTEK [ HOLTEK SEMICONDUCTOR INC ]
