HT45R15B
2.0
绝对最大额定值
电源电压................ V
SS
-0.3V到V
SS
+6.0V
输入电压.................. V
SS
-0.3V到V
DD
+0.3V
I
OL
Total……………………………………300mA
总功耗500mW的.....................
注意：这些压力额定值只。应力超过范围的绝对最大的“指定
“，可能对器件造成实质性损害。该器件的其他功能操作
超越那些在规范中列出的条件是不是暗示和长时间暴露在极端
条件可能会影响器件的可靠性。
存储温度......................- 50
℃
到125
℃
工作温度0 .......................
℃
至80 ℃
I
OH
Total………….………………………-200mA
3.0
直流特性
Ta=25℃
符号
参数
V
DD
V
DD
工作电压
-
-
工作电流（水晶OSC ）
3V
5V
3V
I
DD2
工作电流（ RC OSC）
5V
工作电流
（晶体振荡器， RC OSC ）
待机电流（ WDT启用）
5V
3V
5V
待机电流（ WDT禁用）
输入低电压I / O端口， TMR0
和INTB
输入高电压的I / O端口， TMR0
和INTB
输入低电压（ RESB ）
输入高电压（ RESB ）
低电压复位（注2 ）
低电压复位（注2 ）
低电压检测电压（注2 ）
I / O口灌电流（除PB0 ）
3V
V
OL
=0.1V
DD
-
-
-
LVR 2.1V选项
LVR 3.0V选项
3V
5V
无负载，系统HALT
测试条件
条件
f
SYS
=4MHz
f
SYS
=8MHz
无负载，女
SYS
=4MHz
ADC禁用
无负载，女
SYS
=4MHz
ADC禁用
无负载，女
SYS
=8MHz
ADC禁用
无负载，系统HALT
-
-
-
-
0
2.2
3.3
-
-
-
-
-
-
-
0.6
2.0
0.8
2.5
4
-
-
5.5
5.5
1.5
4.0
1.5
4.0
8
5
10
1
2
0.3V
DD
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
μA
μA
V
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
DD1
I
DD3
I
STB1
I
STB2
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
LVR1
V
LVR2
V
LVD
I
OL1
0.7V
DD
0
0.9V
DD
1.98
2.83
4.12
4
-
-
-
2.1
3.0
4.4
8
V
DD
0.4V
DD
V
DD
2.22
3.17
4.7
-
V
V
V
V
V
V
mA
第66 7
本資料為盛群半導體股�½有限公司專有之財產，非經書面准許不可透露或�½�用本資料，亦不准複印、複�½或�½�變成任�½�其它�½�式�½�用。
此处包含的信息是HOLTEK的专有财产，不得分发，复制，或全部或部分披露未经书面
HOLTEK的许可。
HOLTEK [ HOLTEK SEMICONDUCTOR INC ]
