HT27C040
符号
编程操作
t
AS
t
OES
t
DS
t
AH
t
DH
t
DFP广告管理系统
t
VPS
t
PW
t
VCS
t
CES
t
OE
t
PRT
地址建立时间
OE建立时间
数据建立时间
地址保持时间
数据保持时间
输出使能到输出的浮动延迟
VPP建立时间
CE程序脉宽
VCC建立时间
CE建立时间
数据有效的OE
VPP脉冲上升时间在编程
6V
6V
6V
6V
6V
6V
6V
6V
6V
6V
6V
6V
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
2
2
2
0
2
0
2
50
2
2
¾
2
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
75
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
130
¾
105
¾
¾
150
¾
ms
ms
ms
ms
ms
ns
ms
ms
ms
ms
ns
ms
参数
测试条件
V
CC
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
测试波形和测量
2 .4 V
A C
，D R IV为g
L E V ê LS
0 .4 5 V
2 .0 V
0 .8 V
A C
输出测试负载
1 .3 V
(1 N 9 1 4 )
3 .3 k
W
M E A S ü重新M E N吨
L E V ê升
t
R
, t
F
<为20ns （10％至90％）
C
L
Ø ü TP ü吨P在
注：C
L
= 100pF的包括夹具电容
功能说明
该HT27C040编程
当HT27C040交付，该芯片具有全
4096K位在
²ONE² ，
或HIGH的状态。
²ZEROs²
是
装入通过编程HT27C040 。
在进入编程模式时， 12.5 ± 0.2V是AP-
合股的VPP引脚， OE是在V
IH
和CE为V
IL
。对于亲
编程，要被编程的数据被应用于与8
位并行数据引脚。
图3中的程序的流程图显示了快
交互式编程算法。互动AL-
gorithm减少编程时间使用到50毫秒
105ms编程脉冲，并给予每个地址
只有尽可能多的脉冲，是必要的，以便可靠地
编程数据。之后的每个脉冲被施加到一个给定的
地址，在该地址中的数据进行验证。如果数据
未经过验证，额外的脉冲给定的，直到它veri-
田间或直到脉冲的最大数目达到
而通过对各个地址进行测序
HT27C040 。这个过程被重复，而测序
通过HT27C040的每个地址。这部分
编程算法完成在V
CC
= 6.0V到AS-i
确保每个EPROM位编程为suffi-
ciently高阈值电压。这确保了所有的位
有足够的保证金。经过最后的地址是的COM
完成之后，那位整个EPROM存储器读出在
V
CC
=V
PP
= 5.25 ± 0.25V ，以验证整个存储器。
编程禁止模式
多HT27C040在与昼夜温差并行编程
同的数据也很容易通过亲完成
克禁止模式。除了行政长官，都喜欢的输入
平行HT27C040可能是共同的。一个TTL低级别
编程脉冲施加到HT27C040 CE输入，
VPP = 12.5 ± 2V ，而OE高电平将程序
HT27C040 。一个高层次的CE输入抑制
从HT27C040被编程。
1.00版
4
2001年4月30日
HOLTEK [ HOLTEK SEMICONDUCTOR INC ]
