HT23C512
CMOS 64K'8位掩膜ROM
特点
·
工作电压： 2.7V 〜 5.5V
·
低功耗
-
操作： 25毫安最大。 （V
CC
=5V)
·
掩膜ROM 65536'8位
·
面膜选择：芯片使能CE / CE / OE1 / OE1和
输出使能OE / OE / NC
·
TTL兼容的输入和输出
·
三态输出
·
全静态操作
·
28引脚DIP / SOP封装
最大10mA 。 （V
CC
=3V)
-
待机： 30毫安最大。 （V
CC
=5V)
最大10mA 。 （V
CC
=3V)
·
访问时间： 150ns的最大值。 （V
CC
=5V)
250ns的最大。 （V
CC
=3V)
概述
该HT23C512是一个只读存储器具有高perfor-
曼斯CMOS存储设备的存储器中的512K是
由8位设置成65536个词语。
对于应用程序的灵活性，芯片使能和输出恩
能控制引脚可以选择为高有效或
低。这种灵活性不仅可轻松实现与
大多数微处理器，而且还消除了总线conten-
化的多总线的微处理器系统。一个附加
该HT23C512的tional特点是它进入的能力
待机模式下，每当芯片使能（ CE / CE ）是IN-
活性，从而减少电流消耗至低于
30毫安。这些功能的组合使
芯片适用于高密度低功耗内存应用程序
阳离子。
框图
X -D权证
Ÿ -D权证
一个D D重新S S小
B ü FFE RS
A 1 5
A 0
M E M O对RY
权证LL
（ 6 4 K 8 B公司）
X Y -P重新D E ç
ž -D权证
权证/ C E / O E1 /产地证电子1
Ø E / O E / N ç
Ç 0：N卓升
1。·克IC
发E ñ发E A M P
Ø ü ü TP T B ü FFE RS
V S S小
V C C
D 0
D 7
修订版1.10
1
2002年8月30日
HOLTEK [ HOLTEK SEMICONDUCTOR INC ]
