HT16E2T3 参数 Datasheet PDF下载

HT16x2Tx/HT12x2Tx

2

16

/2

12

射频编码器

绝对最大额定值

逻辑电源电压.......................................................................................................

2V至3.6V

逻辑输入电压............................................... ......................................... V

SS

-0.3V到V

DD

+0.3V

存储温度................................................ .................................................. -55 ° C至150℃

工作温度................................................ ................................................ -40 ° C至85°C

注意：这些压力额定值只。应力超过范围的绝对最大的“指定

“，可能对器件造成实质性损害。该器件的其他功能操作

超越那些在规范中列出的条件是不是暗示和长时间暴露在极端

条件可能会影响器件的可靠性。

规范适用于V

DD

= 3.0V ，TA = 25 ℃，频率X'talOSC = 13.560MHz ， EN = VDD 。大胆的值表示

-20℃ to70 ℃，除非另有说明。为1Kbps数据速率的50％的占空比。 ř

L

50欧姆的负载（匹配）

符号

V

IH

V

IL

R

PH

Td

I

1

I

0

I

STBY

参数

“H” Inp�½t Voltage

“L” Inp�½t Voltage

P�½ll-high Resistance

One bit data width fo�½

HT1�½x�½Tx/HT16x�½Tx

Data High C�½�½�½ent

Data Low c�½�½�½ent

DIN disabled c�½�½�½ent

测试条件

V

DD

—

—

3

3

3V

3V

3V

Dx

—

@ 315MHz�½ POUT = +10dBm

@ 433.9�½MHz

@ 315MHz的

@ 433.9�½ MHz

—

@315MHz�½ V

DD

=3.3V

@433.9�½MHz�½ V

DD

=3.3V

@630MHz�½ �½nd ha�½m.

@945MHz�½ 3�½d ha�½m.

@�½67.�½4MHz�½ �½nd ha�½m.

@1301.76MHz�½ 3�½d ha�½m.

—

@315MHz

@433.9�½MHz

@ 100kHz f�½om Ca�½�½ie�½

@ 1000kHz f�½om Ca�½�½ie�½

@ 100kHz f�½om Ca�½�½ie�½

@ 1000kHz f�½om Ca�½�½ie�½

引脚电容

See application ci�½c�½it C3�½ C4

@315MHz

@433.9�½MHz

STDBY t�½ansition f�½om LOW to

HIGH (=Pilot pe�½iod)

Delta between ASK Inp�½t T�½ansition

f�½om Low to High to RF O�½tp�½t

T�½ansition f�½om Low to High

条件

—

—

分钟。

0.�½V

DD

—

—

0.9

—

—

—

典型值。

—

—

150

1.0

13.5

3.0

1

马克斯。

—

0.�½V

DD

—

1.1

—

—

—

单位

V

V

KΩ

ms

mA

mA

µA

RF和水晶

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

O�½tp�½t powe�½ level

Ha�½monic o�½tp�½t fo�½

315兆赫

Ha�½monic o�½tp�½t fo�½

433.9�½ MHz

Extinction �½atio fo�½ ASK

10Kbps

Occ�½pied Bandwidth

315 MHz单端

带内相位噪声

433.9�½ MHz Single

边带内相位噪声

XTLIN�½ XTLOUT

Exte�½nal Capacitance

O�½tp�½t Blanking

ASK to RF O�½t

响应时间

3V

3V

3V

3V

3V

3V

3V

3V

3V

3V

3V

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

10

-43

-5�½

-40

-47

70

<700

<1000

-73

-77

-7�½

-76

�½

15

1�½

1�½

1

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

DBM

dBc的

dBc的

dBc的

千赫

dBc的/赫兹

dBc的/赫兹

pF

pF

位

μs

1.00版

4

�½an�½a�½�½ �½�½�½ �½011