HT1380/HT1381
·
要禁用写
保护（WP = 0 ）位和
使振荡器
(CH=0)
S T A R牛逼
·
单字节的数据
转让
·
突发模式数据
转让
S T A R牛逼
S T A R牛逼
发E吨ř Ë S T P的
FR Ø米LO瓦特至H IG ħ
D是B乐前作W R ITE P ，R 0 TE （C T）
B是A N D E N A B乐前作Ø S·C Illa的于r
D是B乐前作W R ITE P ，R 0 TE （C T）
B是A N D E N A B乐前作Ø S·C Illa的于r
在P ü吨前作W R伊特
P ro的TE （C T） C 0 M M一N D
B Y形TE 7 E ^ h
D是B乐前作
P ，R 0 TE （C T） B是
B Y形发E使用入日
Ø由于F R例如是7章
W R ITE
（W P）
Ë M传B
到z ê RO
*
发E吨ř Ë S T P的
FR Ø米LO瓦特至H IG ħ
发E吨ř Ë S T P的
FR Ø米LO瓦特至H IG ħ
在P ü吨前作C 0 M M一N D
B Y形释TA ř锡G W i个B是0
在P ü第t E B ü RS吨M O对D E
C 0 M M A N D B Ÿ德（ $ B ê Ø ř
$ B F）的TA ř锡G W i个B是0
在研发（E S） （E T） ř Ë S T P
FR Ø M·H IG小时到LO瓦特
- [R E A D 2 O R W ř ITE前作
C 0 R R （E S） P 2 O N D以g ř例如是TE R D所助教
B Y形释TA ř锡G W i个B是0
*
- [R E A D 2 O
D A TA B Y形
前作H T
B资讯
- [R W R伊特
TE （ 6 4
1 3 8 1 s
0华氏度重
一个LL ř例如是德ř
TA B的D A ）在
TA ř锡G W i个
g是TE R 0
发E吨ř Ë S T P的
FR Ø米LO瓦特至H IG ħ
在研发（E S） （E T） ř Ë S T P
FR Ø M·H IG小时到LO瓦特
在研发（E S） （E T） ř Ë S T P
FR Ø M·H IG小时到LO瓦特
在P ü吨前作W R伊特
C 0 M M A N D B Ÿ德8 0 H
如果N 2 O前作R R例如是德ř
是A C C （E S）发E ð
N 2 O
ê N D
ÿ （E S）
ê N D
简体A，B乐前作Ø S·C Illa的于r
B Y形发E入门前作M传B华氏度
ř例如是TE R 0到z é R 0
在研发（E S） （E T） ř Ë S T P
FR Ø M·H IG小时到LO瓦特
ê N D
*在从HT1380 / HT1381读取数据字节的寄存器，第一个数据位将在第一发射
下降沿之后的命令字节的最后一位被写入。
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2000年9月18日
HOLTEK [ HOLTEK SEMICONDUCTOR INC ]
