HMC224MS8
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224MS8E
v02.0805
外形绘图
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注意事项：
砷化镓MMIC T / R开关
5 - 6 GHz的
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1.引线框架材料：铜合金
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开关 - SPDT T / R - SMT
包装信息
产品型号
HMC224MS8
HMC224MS8E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H224
XXXX
H224
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
典型应用电路
注意事项：
1.
控制输入A和B可以直接驱动
CMOS逻辑电路（HC）具有3至8伏特V施加到CMOS
逻辑门和引脚4的RF开关。
集V至5伏和使用HCT系列逻辑提供
TTL驱动器接口。
最高的射频信号功率的能力，实现与V组
为+ 10V 。然而，交换机能够正常工作（但
较低的射频功率能力）的偏置电压低至3V + 。
射频旁路：不要在Vdd的，一个用RF旁路电容
或B端口。电阻R1，R2 ，R3 = 100欧姆应
放在靠近VDD ， A和B的端口。利用电阻的大小
0402以最小化寄生电感和电容。
不需要为每个RF端口DC阻断电容。
评估PCB可用。
2.
3.
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6.
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对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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