HMC215LP4
/
215LP4E
v01.0111
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
LO放大器， 1.7 - 4.0 GHz的
特点
输入IP3 ： +25 dBm的
低输入LO驱动： +2至+6 dBm的
高LO至RF隔离： 32分贝
低转换损耗： 8分贝
单正电源： + 5V @ 56毫安
24引脚的4x4mm陶瓷SMT封装： 16mm²
典型应用
该HMC215LP4 / HMC215LP4E是理想的
无线基础设施应用：
10
混频器 - 单&双平衡 - SMT
• PCS / 3G基础设施
•基站&中继器
• WiMAX的无线宽带&
• ISM &固定无线
工作原理图
概述
该HMC215LP4 & HMC215LP4E是高线性度，
从操作双平衡转换器IC
1.7至4.0 GHz和交付+25 dBm的输入第三
截点。在LO放大器的输出和
高动态范围混频器输入被定位成
一个外部LO滤波器可以放置在串联
是吐温他们。该转换器提供的LO 32分贝
至RF隔离，是理想的上变频器和下
转换器应用。所述IC从一个单一的操作
+ 5V电源消耗的电流56毫安并接受
为2〜 6 dBm的LO驱动电平。设计不需要
外部平衡 - 不平衡变换器和支撑如果频率之间
DC和1千兆赫。该HMC215LP4 （ E）是引脚对引脚
与HMC552LP4 （E ） ，经营兼容
从1.6至3.0千兆赫。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， LO = +4 dBm时， VCC = + 5V ， IF = 100兆赫*
参数
频率范围， RF ， LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
IP3 （输入）
1 dB压缩（输入）
LO输入驱动电平（典型值）
电源电流（ ICC）
23
10
分钟。
典型值。
1.7 - 4.0
DC - 1.0
8.0
8.5
32
20
25
17
2至6个
56
60
11
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
*除另有说明外，所有的测量执行作为一个下变频器，具有低侧LO和其结构如图应用电路。
10 - 1
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