欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HMC214MS8E 参数 Datasheet PDF下载

HMC214MS8E图片预览
型号: HMC214MS8E
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 高IP3的GaAs MMIC混频器, 2.4 - 4.0 GHz的 [HIGH IP3 GaAs MMIC MIXER, 2.4 - 4.0 GHz]
分类和应用: 射频微波局域网
文件页数/大小: 6 页 / 274 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
 浏览型号HMC214MS8E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMC214MS8E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMC214MS8E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMC214MS8E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMC214MS8E的Datasheet PDF文件第6页  
HMC214MS8
/
214MS8E
v00.0205
高IP3的GaAs MMIC
调音台, 2.4 - 4.0 GHz的
典型应用
该HMC214MS8 / HMC214MS8E是理想的:
• WiMAX和802.16
•固定无线接入
•无线本地环路
特点
+34 dBm的输入IP3
28分贝LO至RF隔离
+22 dBm的P1dB为输入
无需外部元件
超小型MSOP封装: 14.8毫米
2
工作原理图
概述
该HMC214MS8 & HMC214MS8E是一般
用高动态范围无源混频器MMIC
在塑料表面贴装8引线微型小外形
封装( MSOP ),占地2.4到4GHz 。 Excel-
+34 dBm的借给输入IP3性能downcon-
提供版本和+31 dBm的上转换
对于WiMAX和其他3.5 GHz的应用程序在一个
+17 dBm的LO驱动器。用的1dB压缩
22 dBm时,所述RF端口将接受宽范围的
输入信号电平。转换损耗为10dB典型
校准和LO隔离维持在25至30分贝。
这种微型单端的单片GaAs FET
混频器不需要任何外部元件或
偏见。直流至1 GHz IF频率响应会
满足许多发射和接收频率规划
配置为低边LO 。该HMC214MS8 &
再加上HMC214MS8E输入IP3性能
其高P1dB的传统对手有源FET混频器
同时提供一个更小的14.8毫米
2
标准IC
足迹和无直流偏置。
12
调音台 - SMT
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, LO = + 17dBm的, IF = 200 MHz的*
参数
频率范围, RF
频率范围, LO
频率范围,中频
转换损耗
噪声系数( SSB )
LO至RF隔离
LO至IF隔离
IP3 (输入)
1分贝增益压缩(输入)
LO输入驱动电平(典型值)
18
12
26
18
分钟。
典型值。
2.4 - 4.0
2.4 - 4.0
DC - 1
10
10
30
25
30
21
15至19
12
12
20
22
31
20
马克斯。
分钟。
典型值。
3.4 - 3.8
3.4 - 3.8
DC - 1
10
10
28
30
34
22
15至19
11.5
11.5
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
*除另有说明外,所有的测量执行作为一个下变频器,具有低侧LO & IF = 200兆赫。
12 - 72
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com