微波公司
HMC121可变电压衰减器DC - 15 GHz的
1999年9月
操作注意事项
遵守这些注意事项，以避免造成永久性损坏。
清洁度：处理芯片在一个干净的环境。不要试图用液体清洁片
清洗系统。
静态灵敏度：按照ESD防范措施，以防止> ± 250V的ESD冲击。 （
请参阅第8 - 2
)
瞬变：禁止仪和偏置电源瞬变而施加偏压。使用屏蔽信号
偏置电缆，以减少电感回升。
常规处置：处理沿边缘的芯片用真空夹套或用锋利的一对弯曲的twee-
zers 。在芯片的表面具有易碎的空气桥和不应该与真空夹头， twee-触摸
zers ，或手指。
2
衰减器
MOUNTING
该芯片背面金属化和可模安装有金锡共晶坯或与电
导电环氧树脂。安装面应洁净，平整。
共晶芯片粘接：
80/20金锡预成型件，建议用255 ℃的工作表面温度。 C和工具温
perature 265度。 C.当热90/10的氮气/氢气气体被施加，刀尖温度应
290度。 C.
请勿芯片暴露在温度高于320 ℃的下超过20秒。不再
比应需要的附着洗涤3秒。
环氧树脂模具附件：
适用的环氧树脂的最小量到安装表面，使得薄的环氧树脂圆角附近观测到
一旦在芯片的周边被置入位置。
治愈按照制造商的时间表环氧树脂。
引线键合
球或楔形接合用直径1.0纯金线。热超声引线键合，其标称阶段
温度为150度。 C和40 〜50克或18〜22中的楔焊力的球的结合力
克建议。使用超声波能量的最低水平，以达到可靠的引线接合。
线接合应该开始在芯片上，并终止于该包。 RF债券应尽可能短，
可能。
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
网站： www.hittite.com
2-9
HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
