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型号: HMC1081
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内容描述: 砷化镓MMIC混频器50 - 75 GHz的 [GaAs MMIC MIXER 50 - 75 GHz]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 399 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC1081
v01.0713
砷化镓MMIC混频器
50 - 75 GHz的
典型应用
该HMC1081是理想的:
特点
被动:无直流偏置要求
低LO功率: 12 dBm的
高LO / RF隔离: 28分贝
宽IF带宽:直流到26 GHz的
上转换&下变频应用
模具尺寸: 1.23× 1.21 X 0.1毫米
调音台 - CHIP
E波段通信系统
测试设备&传感器
军事最终用途
汽车雷达
工作原理图
概述
该HMC1081是一个双平衡混频器。它可以是
用作上变频器和下变频器,直流用
至26千兆赫的中频端口和50至75千兆赫的射频
端口。这passsive MMIC混频器是用纤维制作
砷化镓肖特基二极管技术。所有接合焊盘和
芯片背面有Ti / Au的金属化和肖特基
设备被充分钝化的可靠运行。所有
这里所显示的数据的测量条件为芯片,在50
欧姆环境和接触射频探针。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, LO = 50 GHz的LO = +12 dBm时, USB
[1]
参数
RF频率范围
LO频率范围
IF频率范围
转换损耗
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 (输入)
[2]
[2]
分钟。
典型值。
50 - 75
40 - 85
DC - 26
7.5
30
20
22
16
10
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
GHz的
10.5
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
1分贝增益压缩(输入)
[1]除非另有说明,作为一个上变频器的LO进行所有测量= 50 GHz和LO = 12 dBm的。
[2]作为上变频器,带有LO进行测量= 49 GHz的LO = +12 dBm的。
1
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电话: 978-250-3343
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