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    V23990-P861-F49-PM

     Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current
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    GQM1875C2E101GB12#

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    FS75R12KE3

     EconoPACK™2 1200 V, 75 A 六单元 IGBT 模块，采用第三代 IGBT 和NTC 温度检测
    局域网栅双极性晶体管
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    GRM0115C1C4R7BE01#

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    IMZA120R020M1H

     采用TO247-4封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
    开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
    0 INFINEON

    IKFW60N60DH3E

     IGBT HighSpeed 3
    双极性晶体管
    0 INFINEON

    GRM0332C1H7R1DA01#

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    IKZA40N120CH7

     TRENCHSTOP™ IGBT7
    双极性晶体管
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     N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，8.5A，23mΩ
    PC开关脉冲光电二极管晶体管
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